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泰藝晶振,石英晶振,XR晶振

頻率:8M~50MHZ

大发uu直播尺寸:6.0x3.5mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
訂購熱線:0755-27876565
泰藝晶振,石英晶振,XR晶振

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泰藝電子立基臺灣,在美國與中國大陸均設有生產據點,營業與銷售據點包括臺灣臺北、美國、歐洲以及中國大陸等地,客戶使用石英水晶振蕩子,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振遍及汽車產業、消費性電子、信息產業、通信產業與通信基礎產業.泰藝電子多年來致力于研發創新,部分核心技術是臺灣業界的領先者,近年來陸續取得石英相關制造技術專利;未來將持續加強開發,以成為全球石英晶振頻控元件領導者之目標邁進.

泰藝石英晶振公司以嚴謹的質量管制系統獲得客戶對產品的信賴度,健全的供應鏈管理掌握原材物料的來源,滿足客戶對石英頻率元件的需求.

泰藝石英晶振公司主要產品:

石英晶片(Crystal Wafer, Crystal Blank)

廣泛用途石英晶體(Crystal

小型化貼片晶振(SMD Crystal)

一般及精密有源晶振(XO)

小型化貼片石英晶體振蕩器(SMD XO

壓控有源晶振(VCXO

壓控溫補振蕩器(VC/TCXO)

恆溫石英晶振 (OCXO)

未來展望

銷售:發展自有品牌及策略性客戶、拓展全球化渠道.

產能:經濟化、規模化.

產品:高頻、高精度、輕、薄、短、小.

制程:標準化、自動化、信息化與彈性化.

供應鏈:交期短、庫存低.

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泰藝晶振,石英晶振,XR晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT .其它切型還有 CTDTGTNT .超小型石英貼片晶振晶片的設計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00mm,由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導致產品在客戶端不能正常使用,晶振的研發及生產超小型完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,公司在此方面通過理論與實踐相結合,模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果.

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泰藝晶振規格

單位

XR晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

8MHZ~50MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.cafegs.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出標準說明,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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XR 6035

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在使用時應注意以下事項:

以下是石英晶振電路設計匹配問題:

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規格)
Rf
為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd
為限流電阻470Ω1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:

線路連接的電阻(R)與晶體串聯
2)從起點到振蕩的停止點調整R的值.
3)振蕩期間測量R的值.
4)你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容(CdCG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL.
 
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
 
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.泰藝晶振,石英晶振,

當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

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