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熱門關鍵詞 : SMD晶振溫補晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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KDS晶振,貼片晶振,DSX630G晶振

頻率:8M~80MHZ

大发uu直播尺寸:6.0x3.5mm

二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,可應用于高速自動貼片機焊接,產品本身設計合理,成本和性能良好,產品被廣泛應用于平板電腦,MP5,數碼相機,USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.
訂購熱線:0755-27876565
KDS晶振,貼片晶振,DSX630G晶振

KDS-2

日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創業時間為1959113,正式注冊成立是在196358,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型石英晶體諧振器,石英晶體應用產品,石英晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.

日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.

日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內外提供世界一流的質量和滿意程度高.所生產石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導向,創新高效的經營管理,努力創造利潤,履行企業社會責任.

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KDS晶振,貼片晶振,DSX630G晶振,6035封裝石英貼片晶振分為四個焊接腳和兩個焊接腳,兩個焊接腳的陶瓷面封裝晶振歸類于我們前面介紹晶振的文章中所說過的壓電石英晶體諧振器.在不同環境下的多功能產品中具有高可靠性特點,不含鉛汞符合歐盟要求的環保要求.6035兩腳貼片晶振通過嚴格的頻率分選,為編帶盤裝產品.貼片晶振相較于插件晶振能夠應用于高速自動貼片機焊接,6035封裝石英表貼式晶體諧振器小型設計,是筆記本、數碼相機、智能手機、USB接口等智能設備優先選用的貼片晶振型號.

晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

yijin-2

KDS晶振規格

單位

DSX630G晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

8M~80MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +85°C

裸存

工作溫度

T_use

-30°C +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.cafegs.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF,10pF,12pF

不同負載要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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DSX630G

yijin-4在使用KDS晶振時應注意以下事項:

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:

鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規格)
Rf
為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd
為限流電阻470Ω1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:

dlsjpp

線路連接的電阻(R)與晶體串聯
2)從起點到振蕩的停止點調整R的值.
3)振蕩期間測量R的值.
4)你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容(CdCG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL.
 
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
 
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.,貼片晶振,DSX630G晶振

當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

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YJ-6

深圳市億金電子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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