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熱門關鍵詞 : SMD晶振溫補晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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CTS晶振,石英晶體振蕩器,658晶振,多輸出差分晶振

頻率:38M~750MHZ

大发uu直播尺寸:5.0x7.0mm

差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網絡路由器、SATA,光纖通信,10G以太網、超速光纖收發器、網絡交換機等網絡通訊設備中.網絡設備對高標準參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統性能重要參數的相位抖動具備低抖動特征.使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現高頻高精度等要求,更加保障了各種系統參考時鐘的可靠性.

訂購熱線:0755-27876565
CTS晶振,石英晶體振蕩器,658晶振,多輸出差分晶振

CTS-2

CTS晶振公司為信息技術和電信市場提供貼片晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等多種電子元件.這些可以在宏小區基站發現,小蜂窩基站、衛星通信系統、回程通信的應用,以及無線和有線基礎設施.CTS在信息技術和電信市場的創新支持市場部門的發展趨勢,如低功耗,更小的形式因素,增加帶寬需求和物聯網(物聯網).

CTS晶振集團運用ISO14001環境管理系統進行環境管理,盡最大可能減小業務活動對環境造成的負擔,并通過業務發展推進環境改善.

CTS晶振遵守所有適用的有關環境、健康和安全的法律和法規以及公司自己的有關環境、工業衛生和安全的方針和承諾.

與我們的員工一起開創并保持一個免于事故的工作場所.重視污染預防,消除偏離程序的行為強調通過員工努力這一最可行的方法持續改進我們經營活動的環境績效

yijin-1

CTS晶振,石英晶體振蕩器,658晶振,多輸出差分晶振,差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點,差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器能達到聲表面波等要求值,簡稱為低抖動振蕩器電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲存溫度非常寬,客戶實驗證明工作溫度可以到達低溫-50度高溫到100,頻率穩定度在±20PPM,輸出電壓低抖動晶振能達到1V,起振時間為0,隨機抖動性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.

石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態.

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CTS晶振型號

符號

658晶振

輸出規格

-

 LVCMOS、LVDS、LVPECL

輸出頻率范圍

fo

38M~750MHZ

電源電壓

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6 max., ±100×10-6 max.

保存溫度范圍

T_stg

-40~+85

運行溫度范圍

T_use

-10~+70 ,-40~+85

消耗電流

ICC

20mA max.

待機時電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負載

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形對稱

SYM

45~55% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-更多詳細參數請大发uu直播電子http://www.cafegs.cn

1電平電壓

VOH

-

上升時間 下降時間

tr, tf

0.4ns max. [20~80% Output-OutputN]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

0.247~0.454V

差分輸出誤差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

補償電壓

VOS

1.125~1.375V

補償電壓誤差

VOS

50mV

交叉點電壓

Vcr

-

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時間

tPLZ

200ns

輸出使能時間

tPZL

2ms

周期抖動(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]

相位抖動

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz) 
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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658 7050 OSC

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使用CTS晶振時應注意以下事項

運行條件

①電源電壓和極性

晶體振蕩器應在規定的電源電壓和電壓范圍內工作目錄或數據表中給出的公差.電源電壓以外的操作規范可能導致晶體振蕩器的間歇或完全失效.

極性反接可能會導致設備電氣不可逆損壞(死機)和/或機械地(燃燒).因此,請在確認正確的電壓極性之前給有源晶體振蕩器設備加電.

②電源電壓限制

在任何情況下,請向有源晶體振蕩器施加電源電壓電平超過絕對最大值,通常最大為7VDC.對于大多數(HCMOSIC.另請注意,電源電壓低于額定電壓的70~80%可能會導致電壓下降振蕩器運行不穩定.

為獲得最佳性能和穩定性,振蕩器可由單獨穩定的電源供電電壓軌,以避免數字中通常存在的電源電壓噪聲干擾電路.

③石英晶體振蕩器啟動

晶體振蕩器由晶體空白和半導體芯片組成,它集成了一個晶體驅動電路和時鐘輸出驅動級.半導體芯片本身沒有包含復雜的復位邏輯或電源電壓監控電路,用于控制振蕩器輸出信號.

為獲得最佳系統穩定性,我們建議使用外部電源電壓監控在電源電壓充足之前,防止后續電路開始工作的電路上電,輸出頻率完全穩定.請參考振蕩器啟動時間,在我們的振蕩器數據表中定義.

④旁路電容器

請注意,由于SMD振蕩器尺寸較小,因此沒有旁路電容內置.我們強烈建議在附近放置一個~0.01μF的外部旁路電容VDC端子/焊盤與GND端子/焊盤的低阻抗連接.旁路電容器能夠在輸出信號轉換時緩沖石英晶體振蕩器的動態電源電流,它還可以幫助減少通過電源電壓軌的RF傳輸.

⑤負載電容

低于指定最大值的任何容性負載.負載電容可以連接到振蕩器的輸出.應保持從振蕩器輸出到負載(下一個IC)的PCB走線短路以避免額外的雜散電容和輸出波形的失真.CTS晶振,石英晶體振蕩器,658晶振,多輸出差分晶振

⑥電源電流

晶體振蕩器的電流消耗取決于實際的負載電容連接到振蕩器的輸出級.實際容性負載越小,電流消耗越少.如果設計用于30pF負載的振蕩器連接到15pF的實際負載,則電流消耗與振蕩器的電流消耗大致相同專為15pF設計.

⑦方向(Pin1標記)

對于,引腳1通常由蓋子上標記的點和/或傾斜處標識相應的SMD.請確保將振蕩器正確安裝到PCB上取向.錯誤的方向可能導致反向電源電壓極性,這可能導致該單位不可逆轉地受損.

PCB布局

我們建議將有源石英晶振,5x7多輸出晶體振蕩器連接布置在芯片或芯片的短距離處接收器電路的時鐘輸入.最好避免長跡線和近旁信號跡線會干擾晶體時鐘信號.長信號走線引起的不希望的雜散電容和電感會產生很大的影響振蕩器單元的輸出阻抗應最小化.

⑨建議的焊接腳布局

請注意,我們提供了焊接腳位布局建議供您參考.請使用它們作為設計建議并應用貴公司的設計規則.標識為NC的引腳應保持不連接狀態.

⑩工作溫度

所有晶體振蕩器應在溫度限制范圍內工作目錄或數據表.

⑾晶體振蕩器測試和測試電路

示波器探頭阻抗應大于1MOhm,探頭電容較低.施加到有源晶體振蕩器的負載應采用探頭電容和測試夾具雜散電容考慮到了.所有引線長度應盡可能短,特別是地線.我們建議使用寬帶低電容有源探頭來表現振蕩器輸出信號.

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超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

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 有源晶體振蕩器,5070mm有源晶振,小體積7050貼片晶振,外觀小型,表面貼片型晶體振蕩器,因本身體積小等優勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具備優良的耐環境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

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