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熱門關鍵詞 : SMD晶振溫補晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分輸出晶振

頻率:10M~220MHZ

尺寸:3.2x2.5mm

差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點,差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器能達到聲表面波等要求值,簡稱為低抖動振蕩器電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲存溫度非常寬,客戶實驗證明工作溫度可以到達低溫-50度高溫到100,頻率穩定度在±20PPM,輸出電壓低抖動晶振能達到1V,起振時間為0,隨機抖動性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.

訂購熱線:0755-27876565
CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分輸出晶振

CTS-2

CTS晶振公司自1896年以來,CTS晶振一直是未來的一部分.隨著技術的不斷進步,我們也一直在與之一起,為滿足人們不斷變化的需求而設計智能的方法.我們的產品在許多行業都得到了認可,所生產石英晶振,高精度貼片晶振,晶體振蕩器的性能、可靠性和工程技術都很出色.我們的客戶以我們卓越的、一貫的服務水平和我們與他們合作的能力來評價我們.我們的全球足跡使我們能夠為全球市場和大公司服務,并與本地市場中的中小企業合作,從而實現一個智能和無縫的世界.

想象你和我們一起工作.CTS晶振公司,我們理解的好處讓人們投資于公司的長期成功,我們致力于創造一個環境,每個人都有機會成功通過他們的貢獻.我們的人民相互支持,以提高我們的集體能力,并在我們所做的一切中取得卓越.

CTS石英晶振集團建立一種可測量的發展和改進的目標指標,定期進行內審和管理評審.在現有的或新生的各種活動中不斷監測和改進環境績效.通過對生產活動的持續改進和促進對低效或無效的環境法律法規進行合理化轉變,努力提高環境管理中資本的效力.

將生產活動中的環境因素和環境影響的分析納入我們的決策中來,確保活動中每一分子的運作和發展都體現對污染預防方針的貫徹.

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CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分輸出晶振,差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網絡路由器、SATA,光纖通信,10G以太網、超速光纖收發器、網絡交換機等網絡通訊設備中.網絡設備對高標準參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統性能重要參數的相位抖動具備低抖動特征.使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現高頻高精度等要求,更加保障了各種系統參考時鐘的可靠性.

石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態.

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CTS晶振型號

符號

633晶振

輸出規格

-

LVDS、LVPECL

輸出頻率范圍

fo

10~220MHz

電源電壓

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6 max., ±100×10-6 max.

保存溫度范圍

T_stg

-40~+85

運行溫度范圍

T_use

-10~+70 ,-40~+85

消耗電流

ICC

20mA max.

待機時電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負載

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形對稱

SYM

45~55% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-

1電平電壓

VOH

-

上升時間 下降時間

tr, tf

0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

0.247~0.454V

差分輸出誤差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

補償電壓

VOS

1.125~1.375V

補償電壓誤差

VOS

50mV

交叉點電壓

Vcr

-

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時間

tPLZ

200ns

輸出使能時間

tPZL

2ms

周期抖動(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]

相位抖動

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz) 
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]


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633 3225 OSC

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使用CTS晶振時應注意以下事項

運行條件

①電源電壓和極性

晶體振蕩器應在規定的電源電壓和電壓范圍內工作目錄或數據表中給出的公差.電源電壓以外的操作規范可能導致晶體振蕩器的間歇或完全失效.

極性反接可能會導致設備電氣不可逆損壞(死機)和/或機械地(燃燒).因此,請在確認正確的電壓極性之前給有源晶體振蕩器設備加電.

②電源電壓限制

在任何情況下,請向有源晶體振蕩器,精密儀器有源晶振施加電源電壓電平超過絕對最大值,通常最大為7VDC.對于大多數(HCMOSIC.另請注意,電源電壓低于額定電壓的70~80%可能會導致電壓下降振蕩器運行不穩定.

為獲得最佳性能和穩定性,振蕩器可由單獨穩定的電源供電電壓軌,以避免數字中通常存在的電源電壓噪聲干擾電路.

③石英晶體振蕩器啟動

晶體振蕩器由晶體空白和半導體芯片組成,它集成了一個晶體驅動電路和時鐘輸出驅動級.半導體芯片本身沒有包含復雜的復位邏輯或電源電壓監控電路,用于控制振蕩器輸出信號.CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分輸出晶振

為獲得最佳系統穩定性,我們建議使用外部電源電壓監控在電源電壓充足之前,防止后續電路開始工作的電路上電,振蕩器輸出頻率完全穩定.請參考振蕩器啟動時間,在我們的數據表中定義.

④旁路電容器

請注意,由于SMD振蕩器尺寸較小,因此沒有旁路電容內置.我們強烈建議在附近放置一個~0.01μF的外部旁路電容VDC端子/焊盤與GND端子/焊盤的低阻抗連接.旁路電容器能夠在輸出信號轉換時緩沖石英晶體振蕩器的動態電源電流,它還可以幫助減少通過電源電壓軌的RF傳輸.

⑤負載電容

低于指定最大值的任何容性負載.負載電容可以連接到振蕩器的輸出.應保持從振蕩器輸出到負載(下一個IC)的PCB走線短路以避免額外的雜散電容和輸出波形的失真.

⑥電源電流

晶體振蕩器的電流消耗取決于實際的負載電容連接到振蕩器的輸出級.實際容性負載越小,電流消耗越少.如果設計用于30pF負載的振蕩器連接到15pF的實際負載,則電流消耗與振蕩器的電流消耗大致相同專為15pF設計.

⑦方向(Pin1標記)

對于,引腳1通常由蓋子上標記的點和/或傾斜處標識相應的SMD.請確保將振蕩器正確安裝到PCB上取向.錯誤的方向可能導致反向電源電壓極性,這可能導致該單位不可逆轉地受損.

PCB布局

我們建議將有源石英晶振,晶體振蕩器連接布置在芯片或芯片的短距離處接收器電路的時鐘輸入.最好避免長跡線和近旁信號跡線會干擾晶體時鐘信號.長信號走線引起的不希望的雜散電容和電感會產生很大的影響振蕩器單元的輸出阻抗應最小化.

⑨建議的焊接腳布局

請注意,我們提供了焊接腳位布局建議供您參考.請使用它們作為設計建議并應用貴公司的設計規則.標識為NC的引腳應保持不連接狀態.

⑩工作溫度

所有晶體振蕩器應在溫度限制范圍內工作目錄或數據表.

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