32.768K晶振,圓柱晶振,3x8晶振
大发uu直播頻率:32.768KHZ
尺寸:3.0x8.0mm
32.768K系列為滿足市場不同產品對精度的要求,通常情況下分為±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客戶也可以分為在精度上分為正偏差以及負偏差.音叉型表晶32.768K晶振在產品中使用溫度范圍可以達到—40°到+70°的寬溫要求.國產插件32.768K系列主要使用于較為高端大氣上檔次的汽車電子、智能家用電器、筆記本、插卡音響、智能手表、以及數碼相機等產品中.
深圳市億金電子企業是一家專業從事生廠石英晶振的大型廠家,晶體就是用石英材料做成的石英晶體諧振器,在電子行業界術語簡稱晶振.起到產生頻率的作用具有穩定,抗干擾性能良好廣泛應用于各種電子產品中 .因為在產品生廠過程中我們對于每一粒晶振都會經過每道工序嚴格的賽選,檢測,跌落,老化,在最后出廠全部檢測等多道工序,確保出廠產品達到100%合格.億金電子擁有全無塵車間,引進國外多款全自動功能生產檢測,高端儀器設備,過硬的產品質量卓越的技術技能,選擇億金成為您最忠實信賴的合作伙伴您的滿意是我們最大的愿望我們為您保駕護航.
QuartzCrystal檢測各項指標,氦氣泄漏檢測器3×10-8— rr•1 / s或更小的泄漏試驗以測量以下
把石英晶振存放在溫度為-40±3?C時間為24小時.它應當受到標準a— mspheric條件為1h,之后測量測試后ESR應滿足規范.后的測試頻率.應±5 PPM.
高溫檢測石英晶振存放在溫度為+85±2?C時間為24小時.它應當受到標準a— mspheric條件為1h,之后測量.測試后ESR應滿足規范.后的測試頻率.應±5 PPM.
正常石英晶振應儲存在溫度為-40±2?C,相對濕度為90%至95%為48小時.然后,它應當受到標準stmospheric條件為1h,之后測量應.測試后ESR應滿足規范.后的測試頻率.應±5 PPM.試驗后的絕緣電阻應在接受規范.
溫度變化石英晶振應進行連續5次變化的溫度循環,然后,它應當受到標準大氣條件為1h,之后測量應.測試后ESR應滿足規范.后的測試頻率.應±5 PPM.
老化的石英晶振應儲存在溫度為-85±3?C720H(30天)±12小時.然后,它應當受到標準stmospheric條件為1h,之后測量應.測試后ESR應滿足規范.后的測試頻率.應±10 PPM.
32.768K晶振,圓柱晶振,3x8晶振,億金生產的32.768K音叉型石英晶體諧振器產品具有以下幾種規格,∅3*8,∅2*6,我公司所有材料均是來自日本進口,封裝測試設備采用日本精工儀器設備,并且從日本聘請高級技術工程師,我司所生產的32.768K晶體具有一致性良好,頻率穩定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產品使用溫度高溫可達到+70°低溫可達到-40°產品被廣泛應用到比較高端的汽車電子產品,民用產品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產品.
石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
億金晶振規格 |
單位 |
晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-20°C ~ +70°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用億金晶振時應注意以下事項:
插件型晶振安裝注意事項:
安裝時的注意事項導腳型晶振• 構造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).
• 修改插件晶振彎曲導腳的方法(1) 要修改彎曲的導腳時,以及要取出晶振等情況下不能強制拔出導腳,如果強制地拔出導腳,會引起玻璃的破裂,而導致殼內真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導腳時,要壓住外殼基側的導腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進行修改(參閱圖 4).,圓柱晶振,3x8晶振
彎曲導腳的方法(1) 將導腳彎曲之后并進行焊接時,導腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導腳的直線部位而將導腳彎曲,有可能導致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導腳焊接完畢之后再將導腳彎曲時,務必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).
如果直接在外殼部位焊接,會導致殼內真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應注意將晶振平放時,不要使之與導腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).
焊接方法焊接部位僅局限于導腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進行焊接.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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